温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种用于形成三维晶片层叠的方法，该三维晶片层叠具有连续且同质的可导电的层叠通孔，所述层叠通孔具有可变的截面形状。本方法使用至少第一硅晶片和第二硅晶片。每个晶片具有在其上形成的一个或多个集成电路。在每个硅晶片中形成一个或多个通孔，...
该专利属于香港应用科技研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过香港应用科技研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。