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本发明描述了半导体器件和制造器件的方法，涉及具有埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)以及制造这些器件的方法。器件可以在SiC中实现并且可以包括外延生长n型漂移层和p型开槽栅区、以及位于开槽p型栅区顶上的外延再生长n型平整沟道区。源区...
该专利属于半南实验室公司;密西西比州立大学所有，仅供学习研究参考，未经过半南实验室公司;密西西比州立大学授权不得商用。

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