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本发明提出一种高压金属氧化物半导体元件与制作方法。该高压金属氧化物半导体元件包括基板；位于该基板表面上的栅极结构；位于该基板内部的阱区，从顶面视之此阱区在水平面上构成一元件区；位于该阱区内部的漂移区；位于该阱区内部的源极；位于该漂移区内部的...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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