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本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，包括：提供(100)晶面的硅衬底；以图形化掩膜层为掩膜，湿法刻蚀硅衬底，将硅衬底的一部分转变为(111)晶面，从而使得硅衬底表面呈锥形；在硅衬底的(111)晶面上依次形成第一导电类型半导体层、有源层以...
该专利属于西安神光安瑞光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安神光安瑞光电科技有限公司授权不得商用。

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