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本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，该方法通过保角沉积得到厚度较小且覆盖均匀的第二掩膜层，有效减少了化学机械抛光所用的压力和时间，保证了第二掩膜层包围的电介质的表面平坦和完整，避免凹陷效应的产生，最终得到表面完好的浅沟槽隔离结构。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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