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一种PN结及其制造方法，所述PN结包括：第一掺杂的第一半导体层；位于第一半导体层上的介质层，所述介质层中设置有开口，所述开口露出所述第一半导体层，所述介质层的横截面为开口端厚度较小的楔形；填充于所述开口、且覆盖于所述介质层上的第二掺杂的第二...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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