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本发明提供了一种深能级杂质电离碰撞晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明晶体管包括N型或者P型相同掺杂的源、漏，控制栅以及含有能在高场下电离出载流子的深能级杂质的高阻漂移区。高阻漂移区在关态可...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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