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本发明的课题在于提供一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的衬托器、该衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导入部以及反...
该专利属于日本派欧尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本派欧尼株式会社授权不得商用。

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