温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS?1、CMOS?2、NPN?3和埋沟电阻4。其中LDMOS?1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源...
该专利属于深圳市联德合微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市联德合微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。