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本发明提供半导体装置，其包括减小了占有面积的增加、具有充分的ESD保护功能的ESD保护用N型MOS晶体管，ESD保护用N型MOS晶体管具有这样的漏区：该漏区经由漏极延伸设置区与漏极接触区电连接，该漏极延伸设置区由与漏区同一导电型的杂质扩散区...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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