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公开了一种制备半导体装置的方法。该方法包括在介电层内形成至少一个沟槽、从而将半导体基片的一部分暴露，至少在该至少一个沟槽的底部形成硅－锗缓冲层，在该硅－锗缓冲层上形成锗种子层且在该锗种子层上形成锗层。还公开了一种半导体装置。该半导体装置包括...
该专利属于新加坡科技研究局所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡科技研究局授权不得商用。

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