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本发明涉及一种用于电子器件或光电器件的结构的处理方法，该结构依次包括：体衬底，氧化物层，和半导体层。该方法包括设置掩模部件在半导体层上限定希望的图案，并进行热处理，在氧化物层与所述希望的图案对应的区域内除去受控厚度的氧化物。...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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