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本发明提供一种高强度、低介电损耗的氧化钇烧结体。一种在１～２０ＧＨｚ的频率下的介电损耗ｔａｎδ为１×１０－４以下的氧化钇烧结体，其特征在于，其含有９９．９质量％以上的氧化钇，孔隙率为１％以下，平均晶粒直径为３μｍ以下，并且由下述（１）式算出...
该专利属于飞罗得陶瓷股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞罗得陶瓷股份有限公司授权不得商用。

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