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本发明的目的是提供一种可获得能够很好地用于内部量子效率和光取出效率优异的发光元件的形成的结晶性优异的Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法。根据本发明，可提供一种Ⅲ族氮化物半导体层（１０３）的制造方法，该制造方法在基板（１０１）上形成单晶的Ⅲ族氮化物...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

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