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提供设备和方法以检测和控制施加在等离子室（４０）中用以处理半导体晶片（４６）的电势（６８）。该等离子室包括电路（８２），用以监测和调节待施加到该等离子室内的卡盘（６６）的脉冲化ＲＦ偏压信号（６８），其中该卡盘配置为安装该晶片用于处理。进一步...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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