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以垂直地而非横向地布置在器件结构中的从栅极到源区／漏区中之一的偏移来形成碰撞电离ＭＯＳＦＥＴ。该半导体器件包括：具有第一掺杂浓度的第一源／漏区；具有第二掺杂浓度并具有与第一源／漏区相反的掺杂类型的第二源／漏区，第一源／漏区与第二源／漏区被掺...
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