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本发明揭示一种形成场效应晶体管的方法，其包含在半导体衬底内且在半导体材料沟道区域的相对侧上沿所述沟道区域的长度形成沟槽隔离材料。所述沟槽隔离材料经形成而包括相对的绝缘突出部，所述绝缘突出部沿所述沟道长度部分地在所述沟道区域下方朝向彼此延伸且...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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