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本发明提供用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的器件及方法。一种静电放电保护器件（１００）包括硅衬底（１０４）、设置于该硅衬底内的Ｐ↑［＋］型阳极区（１１６）、以及与该Ｐ↑［＋］型阳极区串联而设置于该硅衬底内的第一Ｎ阱器件区（１２０）。第...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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