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本发明提供采用多深度压印光刻掩模以及金属镶嵌工艺来形成三维存储器阵列的系统、装置和方法。描述了用于制造三维存储器中的存储器层的压印光刻掩模。该掩模包括：形成具有特征的半透明材料，该特征用于在金属镶嵌工艺中采用的转移材料中做出压印，该掩模具有...
该专利属于桑迪士克３Ｄ有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克３Ｄ有限责任公司授权不得商用。

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