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形成包括具有第一主表面和第二主表面半导体器件（１４）的封装的装置（１０）包括：在半导体器件（１４）的第二主表面上和半导体器件（１４）的侧面周围形成包封层（１８），并且保留第一半导体器件的第一主表面暴露。在第一主表面上形成第一绝缘层（４６）。...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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