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一种横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管包含含有装置部分和栅极总线部分的沟槽。沟槽的栅极总线部分被形成在衬底上方电介质层中的导电插塞接触，由此避免对传统的表面多晶硅桥接层的需要。导电插塞形成在电介质层中基本上垂直的孔中。栅极总线部分可宽于沟...
该专利属于先进模拟科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进模拟科技公司授权不得商用。

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