温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明描述一种在形成于基材上之间隙中沉积一介电层的方法。该方法包括导入一有机硅前体及一氧前体至一沉积反应室。该有机硅前体的Ｃ∶Ｓｉ原子比小于８，且该氧前体包括在该沉积反应室外产生的氧原子。使该些前体进行反应以在该间隙中形成介电层。亦描述以介...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。