温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

根据本发明的光学存储介质使用作为超分辨率近场结构的掩模层（２），该掩模层（２）包括掺杂半导体材料。具体地，ｎ型掺杂半导体材料使得当辐照激光束时半导体材料的反射率增加。对于半导体材料，有利地可以使用铟合金，而对于掺杂材料，可以使用硒或碲。为了...
该专利属于汤姆森特许公司所有，仅供学习研究参考，未经过汤姆森特许公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。