包括具有超分辨率近场结构的掩模层的光学存储介质制造技术

根据本发明专利技术的光学存储介质使用作为超分辨率近场结构的掩模层（２），该掩模层（２）包括掺杂半导体材料。具体地，ｎ型掺杂半导体材料使得当辐照激光束时半导体材料的反射率增加。对于半导体材料，有利地可以使用铟合金，而对于掺杂材料，可以使用硒或碲。为了制造相应的光学存储介质，可以使用溅射方法来沉积作为掩模层的掺杂的半导体材料，其中掺杂剂已经包括在了半导体溅射靶中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括具有超分辨率近场结构的掩模层的光学存储介质，并涉 及相应的光学存储介质的制造方法。这种类型的存储介质，正如在消费电子 装置中所使用的，例如可以用于数据的存储和记录。
技术介绍
与常规的光学记录介质相比，具有超分辨率近场结构(super resolution near field structure, Super-RENS )的光学存储介质可以在一个维度上使光学 记录介质的数据密度增加到三倍。这可以通过所谓的超分辨率近场结构来实 现，超分辨率近场结构位于光学记录介质的数据层之上，并显著地降低用于 从光学存储介质读出或者向光学存储介质写入的光斑的有效尺寸。简单地 说，超分辨率层也对应于掩模层，因为它位于数据层之上并且只有激光束的 高强度的中心部分可以穿透该超分辨率近场结构层。然而，已知还有其它类 型的超分辨率近场结构层，它们增加了激光束中心的反射率。Tominaga、 Nakano和Atoda在"An approach for recording and readout beyond the diffraction limit with an Sb thin film本文档来自技高网...

【技术保护点】
包括具有超分辨率近场结构的掩模层（２）的光学存储介质，其特征在于，所述掩模层包括具有掺杂剂的ｎ型掺杂半导体材料，选择所述ｎ型掺杂半导体材料使得当辐照激光束时所述掩模层的反射率增加。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫费里，拉里萨佩赛里斯库，盖尔皮拉德，斯蒂芬纳普曼，
申请(专利权)人：汤姆森特许公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]