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一种使用也可以成为大口径的单晶作为基板、含有ＧａＮ层的层叠基板及其制造方法以及使用了所述层叠基板的器件。本发明的层叠基板的制造方法包括：锗生长工序，其通过化学气相沉积法使锗层在（１１１）硅基板上异质外延生长；热处理工序，其在７００～９００℃...
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