含有ＧａＮ层的层叠基板及其制造方法与器件技术

一种使用也可以成为大口径的单晶作为基板、含有ＧａＮ层的层叠基板及其制造方法以及使用了所述层叠基板的器件。本发明专利技术的层叠基板的制造方法包括：锗生长工序，其通过化学气相沉积法使锗层在（１１１）硅基板上异质外延生长；热处理工序，其在７００～９００℃的温度范围内对所得到的硅基板上的锗层进行热处理；和ＧａＮ生长工序，其随后使ＧａＮ在锗层上异质外延生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种含有GaN层的层叠基板及其制造方法以及使用了上述层叠基板 的装置。
技术介绍
近年来，作为发光二极管(LED)用、异质结双极晶体管(HBT)用等的器件用途，GaN 受到关注。通常，GaN的体结晶(bulk crystal)的生长极其困难，价格也极其昂贵，并且基 板的尺寸也为2-3英寸，低成本化困难方面也存在问题。为了避免这个问题，用于LED的 GaN使用在单晶SiC、单晶蓝宝石上异质外延生长而得到的物质。但是，因为单晶SiC、单晶蓝宝石的价格也很高，并且不存在大口径的基板，所以妨 碍了普及。另外，这些材料与GaN之间存在较大的晶格不匹配，有必要在使GaN生长时设置 缓冲层，从而导致生产率大幅下降。近年，为了避免这些问题，提出使用锗(111)的体结晶(非专利文献1)。锗(111) 与GaN具有较大的晶格不匹配度(约20%)，但由于二者的网格(mesh)比为5 4，所以 实质的晶格不匹配度为0.4%左右。S卩，(111)锗的单位晶格重复5次而GaN的单位晶格重 复4次时，晶格的位置再次一致。但是这种方法也有问题。虽说锗与单晶SiC等相比容易 获得大口径的基板，但是由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有ＧａＮ层的层叠基板的制造方法，其特征在于，包括：锗生长工序，其通过化学气相沉积法使锗层在（１１１）硅基板上异质外延生长；热处理工序，其在７００～９００℃的温度范围内对所得到的硅基板上的锗层进行热处理；和ＧａＮ生长工序，其在所述热处理工序之后使ＧａＮ在锗层上异质外延生长。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山昌次，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]