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本文描述了一种增强模式ＩＩＩ族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和／或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。...
该专利属于特兰斯夫公司所有，仅供学习研究参考，未经过特兰斯夫公司授权不得商用。

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