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一种制造谐振器尤其是纳米谐振器的方法，该方法包括从ＦＩＮＦＥＴ结构开始，该ＦＩＮＦＥＴ结构具有中心杆、连接到中心杆的第一电极和第二电极、位于中心杆的每一侧并且通过栅极电介质层与中心杆相分隔的第三电极和第四电极。该结构形成在掩埋氧化物层上。随...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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