谐振器及其制造方法技术

一种制造谐振器尤其是纳米谐振器的方法，该方法包括从ＦＩＮＦＥＴ结构开始，该ＦＩＮＦＥＴ结构具有中心杆、连接到中心杆的第一电极和第二电极、位于中心杆的每一侧并且通过栅极电介质层与中心杆相分隔的第三电极和第四电极。该结构形成在掩埋氧化物层上。随后将栅极电介质层和掩埋氧化物层有选择地蚀刻掉以提供具有谐振器元件３０、一对谐振器电极（３２，３４）、控制电极（３６）和感测电极（３８）的纳米谐振器结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，尤其涉及纳米谐振器。
技术介绍
在射频(RF)电路中需要谐振器。传统谐振器是石英晶体，提 供了高品质(q-)因数谐振器。然而，这种谐振器是体积较大的分立 器件，使得它们不太适用于小型移动应用。较小的谐振器将是优选的。为此，已经研究出微机电系统(MEMS)谐振器。这些谐振器 具有与良好的石英谐振器相当的q-因数并且具有更小的外形封装。 它们具有能利用硅技术进行大规模生产的其他优势并且因此它们能 以相对较低的成本制造。然而，MEMS谐振器也存在一些缺点。它们是分立器件，不能 与CMOS工艺完全兼容。与标准CMOS工作所需的大约1.2V电压相 比，它们需要相对高的工作电压，例如大约IOV。相关参数是动生电 阻，其等于谐振器的输入电压与输出电流的比值。这种谐振器的动生 电阻相对高(MQ)，而谐振频率相对低。这些因素限制了电路设计 自由度并且增大了功耗。已经提出了多种其他的谐振器结构。在WO 02/078075中描述了一个示例，描述了一种用于半导体器 件的制造方法，可用来在深槽上制造桥路。该桥路可以不振荡。所使 用的方法有很多缺点。最重要的是，所述方法使用了晶片接合步骤， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造谐振器（４０）的方法，包括步骤：　形成具有衬底（２）、衬底（２）上的掩埋氧化物层（４）、掩埋氧化物层上的半导体层（６）的ＦＩＮＦＥＴ结构，使得所述半导体层形成图案来限定聚拢在中心区（８）中的四个半导体区，四个半导体区包括由中心 杆（１４）连接的相对的第一区（１０）和第二区（１２）以及在中心杆（１４）的两侧上的相对的第三区（１６）和第四区（１８），氧化物绝缘层（２０）位于第三区（１６）和第四区（１８）中每一个与中心杆（１４）之间；以及　选择性地蚀刻掉中心区（８ ）中的掩埋氧化物层（４）和氧化物绝缘层（２０）来在中心杆（１４）下形成空腔（２２），并且蚀刻掉第三区（１６）...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：维耶源宏，德克格拉弗斯坦，拉杜苏尔代亚努，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]