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本发明使用廉价且散热性优异的Ｓｉ基板，得到质量良好的ＧａＡｓ系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Ｓｉ基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口...
该专利属于住友化学株式会社;国立大学法人东京大学所有，仅供学习研究参考，未经过住友化学株式会社;国立大学法人东京大学授权不得商用。

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