半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件技术

本发明专利技术使用廉价且散热性优异的Ｓｉ基板，得到质量良好的ＧａＡｓ系的结晶薄膜。本发明专利技术提供一种半导体基板，其具有：Ｓｉ基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ｇｅ层和在Ｇｅ层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ｇｅ层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件。本专利技术尤其涉及在 廉价的硅基板上形成结晶性优良的结晶薄膜的半导体基板、半导体基板的制造方法及电子 器件。
技术介绍
在GaAs系等的化合物半导体器件中，利用异质结开发各种高功能电子器件。而对 于高功能电子器件而言，由于结晶性的好坏会影响器件的特性，因而谋求质量良好的结晶 薄膜。在GaAs系器件的薄膜结晶生长中，根据在异质界面的晶格匹配等的要求，选择GaAs 或者与GaAs的晶格常数极为接近的Ge等作为基板。另外，在非专利文献1中，记载了在Si基板上形成高质量的Ge外延生长层(以下， 也称之为Ge外延层)的技术。该技术中，记载了在Si基板上限定区域形成了 Ge外延层之 后，对Ge外延层实施循环热退火，使平均位错密度成为2. 3X106cnT2。非专利文献 1 :Hsin_Chiao Luan et. al. , "High-quality Ge epilayers on Siwith low threading-dislocation densities”，APPLIED PHYSICSLETTERS，VOLUME 75，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基板，其具有：Ｓｉ基板以及形成于所述基板上用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层包括：覆盖所述基板的一部分的覆盖区域及位于所述覆盖区域的内部且不覆盖所述基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长于所述开口区域的Ｇｅ层及结晶生长于所述Ｇｅ层上的功能层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田朋幸，山中贞则，秦雅彦，山本武继，和田一实，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，国立大学法人东京大学，
类型：发明
国别省市：JP[日本]