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提供了一种形成功率半导体器件的方法。本方法开始于提供第二导电类型的衬底，然后在衬底上形成电压维持区。电压维持区通过在衬底上沉积第一导电类型的外延层并在外延层中形成至少一个台阶式沟槽而形成。台阶式沟槽具有多个宽度不同的部分，以在其间界定至少一...
该专利属于威世通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过威世通用半导体公司授权不得商用。

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