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本发明揭示方法，例如涉及在集成电路（２００）中增加经隔离特征的密度的那些方法。在一个或一个以上实施例中，提供用于形成具有经隔离特征图案的集成电路（２００）的方法，所述经隔离特征图案具有比所述集成电路（２００）中的经隔离特征的开始密度大２或２...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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