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本发明提供一种向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法，其包括在半导体衬底的硅上方形成掩模，其中所述掩模包含穿过所述掩模而形成的沟道。使用所述掩模进行等离子体蚀刻以向所述半导体衬底的所述硅中形成沟道。在一个实施例中，所述等离子体蚀刻包括使用包括ＳＦ...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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