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在半导体晶片中提供贯穿晶片互连，包括在半导体晶片的可能凹陷部分 内形成牺牲膜(110)；沉积金属化(124)于该晶片的一面上，从而覆盖面 向该晶片这一面的该牺牲膜的露出部分；可能地在蚀刻之后除去以露出面向 该晶片另一面的该牺牲膜的露出部分；...
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