温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及制造硅或硅－锗光电池应用的新的非常规方法和系统。在一些实施方案中，通过热等离子化学蒸气沉积方法或热等离子喷雾技术，硅（或硅锗）的高纯度气体和／或液体中间体化合物直接转化成多晶薄膜。硅（或硅锗）的中间体化合物注入２０００Ｋ至约２０，...
该专利属于塞纳根设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过塞纳根设备有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。