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本发明的半导体器件的制造方法是对层叠有芯片和未固化的接合剂层 的布线基板进行加热，使所述未固化的接合剂层固化来制造半导体器件的 方法，其特征在于，包括如下的静压加压工序：在所述固化前，通过比常 压高0.05MPa以上的静压对所述层叠有芯片和...
该专利属于琳得科株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过琳得科株式会社授权不得商用。

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