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通过经由掩模处理衬底(110)形成集成电路(100)的间距倍增及非间距倍增特征， 例如，分别在集成电路(100)的阵列、接口及外围区域(102)、(104)及(106)中的特征。 通过图案化光致抗蚀剂层来形成所述掩模，所述光致抗蚀剂层同时界...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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