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本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它 们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝 晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和 测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面...
该专利属于马特森技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过马特森技术公司授权不得商用。

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