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本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度 进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚 度，可得到能够调整阈值的晶体管。...
该专利属于国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团授权不得商用。

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