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一种大体上按照垂直半导体功率器件制程来制造瞬态电压抑制二极管（ＴＶＳ）阵列结构的方法，此方法包含以下步骤：在半导体衬底上的具有第一导电类型的外延层上开设若干个隔离沟槽，并在二个隔离沟槽之间应用体区掩膜来掺杂具有第二导电类型的体区。此方法进一...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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