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本发明描述用于对可编程且在一些实施例中可重写的无源元件存储器单元的示范性存储器阵列进行解码的电路和方法，所述电路和方法尤其对具有一个以上存储器平面的极为密集的三维存储器阵列有用。另外，本发明描述用于选择此存储器阵列的一个或一个以上阵列区块、...
该专利属于桑迪士克3D公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克3D公司授权不得商用。

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