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本发明是一种用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在其上形成半导体层的主表面具有由平坦台地和台阶组成的台阶－台地结构。用于制造碳化硅衬底的该方法其特征在于，原始材料衬底的主表面（１）的表面取向相对于（０００１）面倾斜０．０３°至１°的角度，并且以...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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