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本发明公开了一种半导体器件，其包括在绝缘体上硅（ＳＯＩ）晶片上制造的互补型结式场效应晶体管（ＪＦＥＴ）。Ｐ型ＪＦＥＴ包括由ｎ型多晶硅形成的控制栅极（１７０），ｎ型ＪＦＥＴ包括由ｐ型多晶硅形成的控制栅极（１１０）。互补型ＪＦＥＴ可包括具有形成...
该专利属于帝斯曼方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过帝斯曼方案公司授权不得商用。

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