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通过故意将沟道－阱ＰＮ结与栅极区域短路，实现了一种没有用于背栅极的表面接触的结场效应晶体管，该晶体管实现了沟道中的两倍跨导并且具有更高的切换速度。这是通过以下方式实现的：故意刻蚀掉至少栅极区域中有源区外部的场氧化物，以便暴露出有源区的侧壁，...
该专利属于帝斯曼方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过帝斯曼方案公司授权不得商用。

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