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一种全低温工艺用于在不包括外延层的衬底中制造各种半导体器件。所述器件包括非隔离的横向ＤＭＯＳ、非隔离的延伸漏极或漂移的ＭＯＳ器件，横向沟槽ＤＭＯＳ、隔离的横向ＤＭＯＳ、ＪＦＥＴ和耗尽模式器件、以及Ｐ－Ｎ二极管箝位和整流器和结端区。由于所述工...
该专利属于先进模拟科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进模拟科技公司授权不得商用。

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