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一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有３元ＳｉＯ环状结构以及４元ＳｉＯ环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有３元ＳｉＯ环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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