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公开了一种雪崩光探测器。根据本发明一方面的设备包括：半导体基底层，包括第一类型的半导体材料。所述设备还包括：倍增层，包括所述第一类型的半导体材料，邻近所述半导体基底层设置。所述设备还包括：吸收层，包括第二类型的半导体材料，邻近所述倍增层设置...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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