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本发明涉及辐照发射装置，其具有第一电极（１００）、第一发射层（４００）、第二发射层（４１０）和第二电极（１１０）。此外，本发明涉及制造辐照发射装置的方法。...
该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。

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