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提供不损坏存储单元的高集成化而能够利用ＦＮ隧道电流对电荷存储层进行电荷的注入的ＮＯＲ型非易失性半导体存储器。通过具有以下特征的非易失性半导体存储器来解决上述问题，该非易失性半导体存储器的特征在于，在半导体衬底上形成岛状半导体层、具有形成在岛...该专利属于日本优尼山帝斯电子股份有限公司;国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过日本优尼山帝斯电子股份有限公司;国立大学法人东北大学授权不得商用。